晶体管科幻影视_第2页

从Layout设计看匹配艺术与布局优化

在现代集成电路（IC）设计中，性能、功耗和面积（PPA）是衡量芯片优劣的核心指标。要实现卓越的PPA，除了精妙的电路拓扑设计，物理版图（Physical Layout）设计同样扮演着举足轻重的角色。尤其在对精度和稳定性要求极高的模拟与混合信号集成电路中，器件匹

而驱动这些芯片不断变得更快、更节能的核心密码，就是晶体管的持续微型化。如今，半导体行业正站在 2 纳米（2nm）技术的门槛前，这项迄今为止最先进的工艺，早已不是单纯的技术升级，更成了数字社会持续向前的不可或缺的动力。

1947 年 12 月，美国贝尔电话实验室（Bell Telephone Laboratories，简称“贝尔实验室”）的三位物理学家约翰·巴丁（John Bardeen）、威廉·肖克利（William Shockley）和沃尔特·布拉顿（Walter Bra

AMD 的 RDNA4 架构一出，不少玩家心里直犯嘀咕：不拼性能巅峰，改主打能效比，难道是性能拼不过才找的借口？

半导体是当今数字社会的基石，它不断发展，以提供更快的速度和更强大的处理能力。这些进步背后的关键驱动力是电路微型化——不断缩小晶体管尺寸，以便在单个芯片上容纳更多晶体管。如今，半导体行业正在迈入2纳米（2nm）时代，这是迄今为止最先进的技术。

本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破，通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管在高温下的可靠性，实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能，刷新氧化物晶体管的国际纪录，该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集

这是《无线电》杂志1975年第3期P29-30上的一篇，介绍6管晶体管超外差式收音机的输入电路的文章。

ITRS（InternatIonal Technology Roadmap for Semiconductors）由全球主要半导体厂商、研究机构和学术界共同制定，最早起源于 1990 年代。目标是为半导体行业提供技术发展路线指引，预测未来 10~15 年内的关

2025年，随着三星3nm、台积电2nm芯片相继落地GAAFET技术，曾被寄予厚望的“全环绕栅极”技术正式从“下一代趋势”转变为“当前主流”。